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ブラウズ : 著者 Yamashita, Hiroshi
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発行日 | タイトル | 著者 |
1988年 | NbN/Pb SQUIDの試作 | 山下, 浩; 阿久根, 忠博; 坂本, 進洋; Yamashita, Hiroshi; Akune, Tadahiro; Sakamoto, Nobuyoshi; ヤマシタ, ヒロシ; アクネ, タダヒロ; サカモト, ノブヨシ; 九州松下電器株式会社/九州産業大学工学部電気工学科/九州産業大学工学部電気工学科 |
1986年 | Nb系ジョセフソン素子の作製 | 阿久根, 忠博; 山下, 浩; 坂本, 進洋; Akune, Tadahiro; Yamashita, Hiroshi; Sakamoto, Nobuyoshi; アクネ, タダヒロ; ヤマシタ, ヒロシ; サカモト, ノブヨシ; 九州産業大学工学部電気工学科/九州産業大学工学研究科電気工学専攻/九州産業大学工学部電気工学科 |
1999年 | 不平等電界下におけるポリイミドLB超薄膜の耐電圧特性 | 寶満, 竜太; 福澤, 雅弘; 山下, 宏; 畑中, 嘉寿; 今村, 圭; 岩本, 光正; Houman, Ryuuta; Fukuzawa, Masahiro; Yamashita, Hiroshi; Hatanaka, Yoshihisa; Imamura, Kei; Iwamoto, Mitsumasa; ホウマン, リュウタ; フクザワ, マサヒロ; ヤマシタ, ヒロシ; ハタナカ, ヨシヒサ; イマムラ, ケイ; イワモト, ミツマサ; 九州産業大学工学研究科電気工学専攻/九州産業大学工学部電気工学科/九州産業大学工学部電気工学科/九州産業大学工学部電気工学科/九州産業大学工学部電気工学科/東京工業大学電子物理工学科 |
2000年 | 不平等電界下におけるポリイミドLB超薄膜の耐電圧特性 ? | 山下, 宏; 池堂, 弘志; 武藤, 伸吾; 福沢, 雅弘; 岩本, 光正; Yamashita, Hiroshi; Ikedo, Hiroshi; Muto, Shingo; Fukuzawa, Masahiro; Iwamoto, Mitsumasa; ヤマシタ, ヒロシ; イケドウ, ヒロシ; ムトウ, シンゴ; フクザワ, マサヒロ; イワモト, ミツマサ; 九州産業大学工学研究科電気工学専攻/九州産業大学工学部電気工学科/九州産業大学工学部電気工学科/九州産業大学工学部電気工学科/東京工業大学電子物理工学科 |
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