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http://hdl.handle.net/11178/8233
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| タイトル: | Anomalous Behavior of Gate Current and TDDB Lifetime by Constant Voltage Stress in NO-Annealed SiC-MOSFETs |
| 著者: | Murakami, Eiichi
Okamoto, Mitsuo |
| 発行日: | 2021年3月 |
| 出版者: | IEEE |
| URI: | http://hdl.handle.net/11178/8233 |
| ISSN: | 00189383 |
| 著作権等: | Copyright © 2021 IEEE. Personal use of this material is permitted. Permission from IEEE must be obtained for all other uses, in any current or future media, including reprinting/republishing this material for advertising or promotional purposes, creating new collective works, for resale or redistribution to servers or lists, or reuse of any copyrighted component of this work in other works. |
| 出現コレクション: | 3 理工学部（Faculty of Science and Engineering）
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